درجه آزادي Valley در نقاط كوانتومي گرافني با گاف انرژي

Valley degree of freedom in gapped graphene quantum dots

در اين مقاله خواص الكتروني گرافن در انرژي پايين با استفاده از تقريب تنگ-بست و نزديك ترين همسايه (nn) بررسي شده و به نقش ساختار بلوري گرافن در پيدايش درجه آزادي كوانتومي جديدي به نام Valley يا دره پرداخته شده است. اين درجه آزادي همانند درجه آزادي اسپين منشا نسبيتي دارد و از معادله ديراك بدست مي آيد. يكي از كاربردهاي اين درجه آزادي، استفاده از آن به عنوان كيوبيت در كامپيوترهاي كوانتومي با استفاده از نقاط كوانتومي گرافني با گاف انرژي است

In this paper we investigate the low-energy electronic properties of graphene using tight-binding method and nearest neighbor approximation. We also discuss about the role of crystal structure of graphene in manifestation of Valley degree of freedom. This degree of freedom can be used as qubits in gapped graphene quantum dots.