امكان سنجي ساخت مواد خام مورد استفاده در كارت مغناطيسي حافظه

در اين پژوهش نتايج پروژه اي كه با هدف امكان سنجي ساخت مواد خام مورد استفاده در توليد كارت هاي مغناطيسي انجام گرفته، گزارش شده است. در بخش نخست در يك فرايند مهندسي معكوس ساختار يك كارت مغناطيسي مورد مطالعه قرار گرفت و در گام بعد تلاش شد موادي با ويژگي هاي نزديك به نمونه مرجع توليد شود. براي مطالعه ويژگي هاي فيزيكي مواد مورد استفاده در حافظه، نوار مغناطيسي روي كارت تراشيده شد و براي تعيين فاز مواد و ساختار بلوري، بررسي ريز ساختار و تعيين خواص مغناطيسي به ترتيب آناليزهاي XRD، SEM و VSM از آن گرفته شد. نتايج نشان داد كه در نمونه مرجع وجود يك فاز با ساختار بلوري هگزاگونال امكان پذير است و در نمونه ساخته شده كه به تركيب SrFe_12 O_19نزديك است داراي دو فاز مي‌باشد، فاز اول به تركيب Fe2O3 با ساختار بلوري رمبوهيدرال بوده و فاز دوم در اين نمونه مشابه طيف مربوط به فريت استرانسيوم مي‌باشد.