شماره ركورد كنفرانس :
4700
عنوان مقاله :
كاربرد تيتانيم دي اكسايد حاويRGO و C60به عنوان لايه ي انتقال دهنده ي الكترون در سلول هاي خورشيدينانوساختاري متخلخل بدون لايه ي انتقال دهنده ي حفره
پديدآورندگان :
دهقان ناصر Ndehghan51@yahoo.com گروه اتمي و مولكولي، دانشكده فيزيك، دانشگاه يزد , بهجت عباس گروه پژوهشي فوتونيك، دانشكده فيزيك، دانشگاه يزد , زارع حميدرضا گروه شيمي تجزيه، دانشكده شيمي، دانشگاه يزد , محسني حميدرضا گروه پژوهشي فوتونيك، دانشكده فيزيك، دانشگاه يزد , دوست حسيني فاطمه گروه اتمي و مولكولي، دانشكده فيزيك، دانشگاه يزد
كليدواژه :
سلول هاي خورشيدي پروسكايتي , انتقال دهنده الكترون , C60 , RGO
عنوان كنفرانس :
چهارمين همايش ملي علوم و فناوري نانو
چكيده فارسي :
در تحقيق حاضر تاثير MTiO2 دوپ شده با RGO و C60به عنوان لايه ي انتقال دهنده ي الكترونETLدر سلول هاي پروسكايتي متخلخل بدون انتقال دهنده ي حفرهHTLكه به روش تك مرحله ايي ساخته شده بررسي شده است.نمودارهاي جذب لايه ي ETL در ناحيه ي مرئي نشان مي دهندكه جذب در لايه ي ETL كاهش يافته است. الگوي پراش اشعه ي ايكس و تصاوير حاصل از ميكرسكوپ الكتروني روبشي نشان مي دهند كه ذرات پروسكايت بزرگتر، لايه ي پروسكايت بدون حفره و داراي ريخت شناسي بهتري نسبت به پروسكايت با زير لايه ي MTiO2 خالص است. به نظر مي رسد با توجه به انتخاب مقادير مناسبي از مواد RGO و C60 سرعت انتقال الكترون افزايش، بازتركيب و آهنگ تخريب كاهش يافته است كه منجر به بهبود عملكرد سلول شده است.
