شماره ركورد كنفرانس :
4703
عنوان مقاله :
ارائه ي يك سلول حافظه با دسترسي تصادفي ايستاي توان پايين
عنوان به زبان ديگر :
proposal of a low-power static random access memory cell
پديدآورندگان :
محمدي محسن m21mohammadi@gmail.com دانشگاه شهيد بهشتي; , مقدم مجيد mm.moghadam@sbu.ac.ir دانشگاه شهيد بهشتي; , عشقي محمد mm.eshgi1385@yahoo.com دانشگاه شهيد بهشتي;
كليدواژه :
حافظه SRAM , حاشيه نويز , حاشيه نوشتن , توان مصرفي , ولتاژ آستانه
عنوان كنفرانس :
چهارمين كنفرانس ملي پژوهش هاي كاربردي در مهندسي برق، مكانيك و مكاترونيك
چكيده فارسي :
حافظه‌ي SRAM يكي از مهم‌ترين بخش‌هاي سيستم‌هاي ديجيتال را تشكيل مي دهد. در اين مقاله يك ساختار جديد براي سلول SRAM ارائه شده است كه به دليل جدا نمودن مسير خواندن از گره‌هاي ذخيره، حاشيه نويز ايستاي خواندن سلول برابر با حاشيه نويز ايستاي نگه‌داري آن مي‌باشد. همچنين در اين سلول با استفاده از يك ترانزيستور PMOS كه منجر به قطع يكي از وارونگرها از ولتاژ تغذيه در هنگام نوشتن مي‌شود، حاشيه نوشتن كه درواقع معرف قابليت نوشتن سلول است، بهبود مي‌يابد. به‌گونه‌اي كه در سلول پيشنهادي مجموع حاشيه نويز خواندن، حاشيه نويز نگه‌داري و حاشيه نوشتن برابر با 1020 ميلي ولت است كه نسبت به سلول 6 ترانزيستوري معمولي 31.78 درصد بيشتر مي‌باشد.
