شماره ركورد كنفرانس :
4703
عنوان مقاله :
بهبود ولتاژ شكست در ترانزيستورهاي مسفت سيليكن روي عايق با استفاده از جعبه با ناخالصي نوع p
عنوان به زبان ديگر :
improvement in breakdown voltage of SOI-MESFET by p-box
پديدآورندگان :
نادري علي a.naderi@kut.ac.ir دانشگاه صنعتي كرمانشاه; , حيراني فاطمه A.NADERI@KUT.AC.IR دانشگاه صنعتي كرمانشاه; , رضايي عباس unrezaei@yahoo.com دانشگاه صنعتي كرمانشاه;
كليدواژه :
مسفت , سيليكن روي عايق , ولتاژ شكست , ميدان الكتريكي , چگالي جريان , پتانسيل الكتريكي
عنوان كنفرانس :
چهارمين كنفرانس ملي پژوهش هاي كاربردي در مهندسي برق، مكانيك و مكاترونيك
چكيده فارسي :
در اين مقاله، با ارائه يك ساختار كارا براي ترانزيستور مسفت سيليكن روي عايق (Silicon on insulator metal semiconductor field effect transistor) ولتاژ شكست آن به روش كنترل پتانسيل، بهبود يافته است. در اين ساختار يك جعبه با ناخالصي نوع p در داخل كانال ترانزيستور، زير لبه گيت در سمت درين قرار گرفته كه توانسته است توزيع خطوط پتانسيل در اين ناحيه را اصلاح كرده و نيز قله ميدان الكتريكي را كاهش دهد و به اين ترتيب ولتاژ شكست اين ساختار نسبت به ساختار پايه (conventional) افزايش پيدا كرده است. ساختار پيشنهادي p-box SOI MESFET نام نهاده شده است. لازم به ذكر است كه شبيه سازي ها با استفاده از نرم افزار سيلواكو انجام گرفته است.
