بررسي و مقايسه چهار ساختار بر پايه ترانزيستور اثرميداني تونلي جهت كاهش نوسانات زيرآستانه و جريان حالت خاموش و افزايش جريان حالت روشن

در اين مقاله چهار ساختار جديد از ترانزيستور تونلي با تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق ارائه شده است. در ساختار اول ترانزيستور تونلي شامل يك كانال سيليسيومي با آلايش بالا مي‌باشد. نويسندگان اين تحقيق با بررسي مشخصه هاي ترانزيستور در دي‌الكتريك مختلف گيت به نتايج متفاوتي رسيده‌اند كه بهترين نتيجه مربوط به دي‌الكتريك TiO2 مي‌باشد و نسبت جريان حالت خاموش به حالت خاموش و نوسانات زيرآستانه بهبود يافته است. ساختار دوم يك ساختار تركيبي AlGaAs/Siمي باشد. مقدار جريان حالت روشن برابر A/µm 10-6×1.4 و جريان حالت خاموش برابر A/µm 10-14×9.1 مي‌باشند. نوسانات زيرآستانه در دي‌الكتريك گيت از جنس TiO2 به مقدار mV/Dec 41 كاهش يافته است. در ساختار سوم يك ترانزيستور اثرميداني بدون اتصال تك گيتي را ارائه دادند كه مشخصه‌هاي dc عالي را در توان پايين نشان مي‌دهد. اين افزاره يك كانال يكنواخت از جنس GaSb از نوع n دارد كه بر روي يك بستر سيليسيومي لايه ‌نشاني شده است. مشخصه‌هاي dc ترانزيستور تونلي پيشنهادي از قبيل Ion/Ioff، جريان حالت روشن، نوسانات زيرآستانه و ترارسانايي، اثر خازني و... در مقايسه با ترانزيستور تونلي سيليسيومي دوگيتي بهبود يافته‌اند. در ساختار چهارم ترانزيستورهاي اثر ميداني تونلي بدون اتصال با گيت دوماده‌اي و ساختار ناهمگن در سطح بين سورس وكانال مورد بررسي قرار گرفته است. شبيه سازي عددي نشان دهنده بهبود در جريان حالت روشن، حالت خاموش، نسبت جريان حالت روشن به حالت خاموش و هدايت انتقالي شيب زير آستانه، فركانس قطع و كاهش جريان قطبي است.