بررسي و مقايسه انواع حافظه هاي SRAM 10T طراحي شده براي كاربردهاي با توان پايين و ارائه طرح پيشنهادي

با توجه به اينكه سلول هاي حافظه SRAM، يك بخش مهم در مدارات مجتمع امروزي مي باشند و در تجهيزات قابل حمل كاربرد زيادي دارند و از طرفي با پيشرفت تكنولوژي، شاهد افزايش نمايي جريان نشتي و درنتيجه مصرف بالاي توان استاتيك و ديناميك مي باشيم، در اين مقاله سعي شده است تا با بيان تكنيك هاي كاهش توان و همچنين مقايسه و ارائه سلول 10 ترانزيستوري بهبود يافته، توان نشتي را كاهش داده و سبب افزايش سرعت خواندن و نوشتن شويم. اين سلول در طول عمليات خواندن، گره هاي ذخيره داده از خطوط كلمه (Word Line) ايزوله شده است.در اين مقاله با استفاده از تكنيك Stack-Forced توان نشتي را به ميزان قابل توجهي كاهش داده است. همچنين با جدا كردن مسير خواندن داده از نوشتن داده، سرعت خواندن افزايش يافته است. درنتيجه نسبت به 3 سلول 10ترانزيستوري ديگر، توان نشتي بين65% تا % 22 كاهش يافته است. همچنين سرعت نوشتن بين 41 % تا 79 % افزايش و توان ديناميك و تاخير خواندن نيز به مقدار قابل توجهي كاهش يافته است.