بررسي تغييرات شدت تحريك بر گسيل نوري نانو ساختارهاي InGaNAs با استفاده از تكنيك فتولومينسانس

حضور نيتروژن در InGaAs علاوه بر تغييرات زيادي كه در ساختار نواري آن به وجود مي آورد، با ايجاد افت و خيزهاي پتانسيل و ناهمواريهايي در ساختار، باعث تشكيل مراكز تله و جايگزيدگي مي گردد . جايگزيدگي نيز از يك طرف با كاهش زمان بازتركيب اكسيتونها مفيد باعث افزايش بازده اپتيكي و از طرف ديگر به علت ايجاد بازتركيبهاي غير تابشي باعث كاهش بازده اپتيكي قطعه مي گردد . يكي از عوامل كاهش جايگزيدگي، افزايش شدت نور تحريكي نمونه نيمه رساناست كه با افزايش آن و پر شدن مراكز جايگزيدگي، قله طيف فتولومينسانس نيز به انرژي هاي بالاتر انتقال مي يابد . در نمونه هاي با نيتروژن بيشتر انتقال بيشتر است و دستيابي به حالت اشباع حاصل نمي گردد . افزايش دما نيز با كاهش افت و خيزها و تنشهاي سطحي، اثرات جايگزيدگي را كاهش مي دهد، لذا تغيير شدت تحريك، اثري در تغيير قله هاي طيفهاي فتولومينسانس ندارد .