بررسي خواص اپتو الكترونيكي تركيب CdGa2S4 تحت فشار

Investigation of the optoelectronic properties of CdGa2S4 under pressure

در اين مقاله خواص اپتو الكترونيكي تركيب CdGa2S4 در فشار هاي مختلف محاسبه شده است. در محاسبات مان از نظريه تابعي چگالي (DET ) و از تقريبهاي شيب تعميم يافته (GGA) و بك جانسون اصلاح شده (mBJ) استفاده كرده ايم. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش فشار تا GPa 4 . 58 گاف انرژي افزايش مي دهد و بعد از اين فشار با افزايش آن گاف انرژي كاهش مي يابد. دليل اين رفتار را مي توان در تغيير پارامترهاي شبكه بواسطه فشار خارجي جستجو كرد. نشان داده شده است كه با افزايش فشار تا GPa 0 . 58 مقدار تابع دي الكتريك استاتيك كاهش و در فشارهاي بالاتر افزايش مي يابد. بنابر اين خواص اپتوالكترونيكي به فشار حساس مي باشند.

In this paper, optoelectronic properties of CdGa2S4 have been calculated at various pressures. In our calculation, we have used density function theory (DFT), generalized gradient approximation (GGA) and modified Becke–Johnson (mBJ). The results showed that an increase in pressure to 4.58 GPa increases the band gap then it is decrease with increase in pressure to 20 GPa. This behaviour is related to the effect of pressure on the lattice parameters of compouds. It is shown that with increasing pressure the statice dielectric function are decreased to 0.58 GPa then it is increased with increase in pressure to 20 GPa. Therefore, optoelctronic properties are sensitive to pressure