بررسي نظري تاثير نقص تهي جايي در ساختار الكتروني CsSnI3 با استفاده از نظريه ي تابعي چگالي

Theoretical Study on the Effect of Vacancy Defect on Electronic Structure of CsSnI3 via Density Functional Theory

ساختار CsSnI3 يك ماده ي اميدبخش از رده ي نيمه رساناهاي پروسكايتي يه شمار مي رود كه در حال حاضر در سلول هاي خورشيدي ساخته شده از تركيب هاي آلي-غير آلي مورد استفاده واقع مي شود. در اين كار ما به بررسي تاثيرهاي نقص تهي جايي در ساختار الكتروني CsSnI3 به كمك نظريه ي تابعي چگالي مي پردازيم. نتايج مربوط به ساختار نواري اين تركيب نشان دهنده ي افزايش ميزان گاف نواري با ايجاد نقص تهي جايي در اين ساختار است. بنابراين با توجه به محاسبات انجام شده چنين نتيجه گيري كرديم كه كنترل ميزان تهي جايي در ساختار CsSnI3 يك عامل اساسي در راستاي بهينه سازي ويژگي هاي فوتوولتائيك اين ساختار به شمار مي رود.

The CsSnI3 structure belongs to a promising class of semiconducting perovskite which is currently used in solar cell made of organics-inorganics hybrid compounds. In this work we have investigated the effect of vacancy defect on electronic properties of CsSnI3 structure by a density functional theory. The calculations of the band structures show an increase of the band gap as the vacancy defect of the structure is created. so we conclude that the concentration control of vacancy defects is critical for optimizing the photovoltaic properties of CsSnI3 structure