رابطه اي تحليلي براي محاسبه رسانش الكتروني يك نانو سيم سه پايانه اي در رهيافت تنگابست

An Analytical Formula for Calculating of Electronic Conductance of a Three-terminal nanowire at the tight-binding approach

در اين پژوهش با استفاده از روش تابع گرين در رهيافت تنگابست، ترابرد الكتروني يك نانو سيم متصل به سه هادي فلزي نيمه بي نهايت يكسان به طور كاملا تحليلي بررسي شده است. در سامانۀ مورد نظر عبور الكترون را در دو مسير متفاوت، يكي از هادي چپ به هادي راست و ديگري از هادي چپ به هادي بالا، به صورت تابعي از جايگاه اتصال هادي سوم در سامانۀ مركزي بررسي ميكنيم. نتايج نشان مي دهد كه رسانش الكتروني در مسير از هادي چپ به هادي بالا در مقايسه با مسير از هادي چپ به هادي راست بيشتر تحت تأثير جايگاه اتصال هادي سوم قرار مي گيرد. . براي مسير چپ به راست در انرژي صفر، رسانش مستقل از جايگاه اتصال هادي بالا به سامانۀ مركزي است كه در انرژي هاي ديگر اينگونه نيست. با توجه به اين نتايج ميتوان ابزاري نانومتري پيشنهاد كرد كه رسانش چپ به راست را توسط تغيير مكان اتصال هادي بالايي كنترل كرد.

In this research, the electronic transport of one nanowire attached to three identical semi-infinite metallic leads has been analytically considered by the use of Greene's function method within the tight-binding approach. In this system, we consider two directions of electronic transmission, one between left and top leads and the other between left and right leads, as a function of contact position of third lead in the center system. The results show that the electronic left-to-top conductance is more affected by contact position of third lead with compared to the left-to-right one. At zero energy, the left-right conductance is independent of position of top lead contact. While for other energies it is not true. Based on these results, the nano-device for controlling of left-right conductance by changing the position of top lead contact can be suggested