ارائه ساختار و بهبود عملكرد ديودهاي تونلي تشديدي يكپارچه مبتني بر GNR غيرمتقارن همراه با غيرفعالسازي هيدروژني

Proposing and Performance Enhancement of a new Structure of Integrated Resonant Tunneling Diodes Based on Asymmetric Hydrogen-Passivated GNR

ساختارهاي تشكيل شده از گرافن، به علت خواص الكتريكي و حرارتي مناسبي كه از خود نشان داده اند، گزينه ي مناسبي به منظور جايگزيني در نسل جديد ادوات الكترونيكي مي باشند. يكي از اين ادوات، ديودهاي داراي شيب منفي درمشخصه خروجي است؛ كه از آن در مدارهاي فركانس بالا و كم مصرف مي توان استفاده كرد در اين مقاله، يك ساختار غيرمتقارن ديود تونلي تشديدي با استفاده از نانو نوارهاي گرافن (AHP-RTD) كه با هيدروژن غيرفعال شده اند، پيشنهاد شده است همچنين اثرات پارامترهاي مختلف هندسي و نيز ايجاد عدم تقارن نسبي بر بهبود كميت PVR ، دراين مقاله بررسي خواهد شد. شبيه سازيهاي كوانتومي توسط معادلات انتقال تابع گرين غيرتعادلي نشان مي دهد كه با تنظيم و ايجاد عدم تقارن نسبي، مي توان PVR را از 12 تا 21 ارتقا داد.

Graphene based electron devices are suitable candidates for future electronics due to excellent electrical properties. Devices with negative differential resistance (NDR) in the output characteristics exhibit potential applications in high frequency and low power electronics. In this paper a non-symmetric resonant tunneling diode (RTD) based on Graphene nano-ribbon (GNR) is proposed. The effect of structural parameters on the device NDR is investigated. Simulations based on NEGF shows that RTD with non-symmetric barriers peak to valley ratio (PVR) of 21 is achieved which is higher than that of symmetric structure