تاثير ناخالصي گاوسي روي طيف جذبي نقطه كوانتومي قرصي شكل

Effect of Gaussian impurity on the absorption spectra in the disc shaped quantum dot

در اين مقاله، يك نقطه كوانتومي از جنس GaAs، توسط پتانسيل سهموي ناهمسانگرد در صفحه (x - y) و پتانسيل چاه نامتناهي در راستاي رشد (جهت z) مدل بند شده است. با استفاده از روش عددي قطري سازي تأثير حضور ناخالصي روي ضريب جذب بين نواري بررسي و نشان داده شده است كه در حضور ناخالص دافعه (جاذبه) ضريب جذب به انرژي بالاتر (پايين تر) جابجا مي شود. همچنين نشان داده شده است كه اعمال ميدان مغناطيسي در حضور ناخالصي باعث افرايش مقدار ضريب جذب و جابجايي قله آن به انرژي هاي بالاتر مي شود و با افزايش ناهمسانگردي ضريب جذب روند كاهشي دارد به به انرژي هاي بالاتر جابجا مي شود.

A GaAs quantum dot is modeled by in-plane anisotropic parabolic potential along x-y plane and by finite well potential along growth direction (z-axis). By using diagonalization numerical method, the effect of impurity on the interband absorption coefficient have been investigated and it has been shown that optical absorption spectra show blue-shift (red shift) in the presence of repulsive (attractive) impurity,and it is depicted that by applying of magnetic field in the presence of the impurity leads to increases of the absorption coefficient and shift its peak to the higher energies, and with increasing the anisotropy, linear absorption decreases and the peak values shift to higher energies