بررسي اثر فونونهاي داغ در يك گاز الكتروني دو بعدي AlGaN/GaN

Investigation of Hot-Phonon Effect on a Two-Dimensional Electron Gas Channel AlGaN/GaN

به علت تراكم بالاي گاز الكتروني در يك فضاي كوچك چاه كوانتومي دماي الكترونها بالا خواهد بود . چون سرعت سوق الكترونها در اين محيط بالاست در اثر نشر داخل چاه حفظ نمايند . اين فونونها معروف به فونونهاي داغ مي باشند . براي بررسي اثر اين فونونهاي داغ فونونهاي اپتيكي، الكترونها ميتوانند توزيع خود را در از تكنيك نويز ميكروويو كوتاه مدت در يك كانال گاز الكتروني دو بعدي ميدان قوي استفاده شده است

The short -time -domain gated radiometric microwave noise technique is developed for the investigation of hot-phonon in two dimensional electron gas channel subjected to a strong electric field applied in the plane of electron confinement where, the LO-phonon emission by hot electrons and the hot LO-phonon disintegration are mainly responsible for the energy dissipation .In this paper we investigated the hot-phonon effect on the transport properties of two - dimensional electron gas AlGaN/GaN such as current -voltage characteristics.