محاسبه ثابت هاي اپتيكي سيليكان و سيليكان متخلخل به روش كرامرز - كرونيگ K . K

Calculation of Optical Coefficients of Si and Porous Silicon by Kramers-Kronig Method

سيليكان متخلخل (PS) بر اثر آنديزاسيون الكتروشيميايي روي ويفر سيليكان به وجود مي آيد . تا كنون تحقيقات فراواني درباره چگونگي تشكيل اين ماده و خواص نوري آن به ويژه فتولومينسانس (PL) انجام شده، اما هنوز ساز و كار آن دقيقا " مشخص نيست . به نظرمي رسد كه تخلخل، به عنوان ناهمواري سطحي در ابعاد چند نانومتر، اثرات كوانتومي در فرآيند جذب براي محاسبه ثابت هاي اپتيكي بررسي مي شود و پس از محاسبه ثابت هاي اپتيكي براي سيليكان و سيليكان [1] نشان مي دهد . در اين مقاله ابتدا روش كرامرز - كرونيگ PS و انعكاس از متخلخل به بررسي نتايج و مقايسه آنها در مورد سيليكان و سيليكان متخلخل مي پردازيم

Porous silicon (PS) layers come into existence as a result of electrochemical anodization on silicon. Up to now a great deal of research has been done on the formation and optical properties especially photolominecent (PL) of this material, the exact mechanism involved is not well known yet. It seems that porousity, surface roughness in nm dimension, shows quantumic effects in absorption and reflection process of PS. In this article, first, K.K. method [1] for calculation optical constants is described. Then, after calculating the optical constants of Si and PS the results are described and compared.