توانايي روش RBS-Channeling جهت مطالعه اثر يون هاي ژرمانيوم كاشت شده در شبكه بلوري سيليسيم

Study of the Effect of Implanted Ge Ions on the Si Lattice Using RBS-Channeling

مطالعه ژرمانيوم كاشت شده با انرژي 100 keV و دز 1× 16 10 atoms/cm 2 در جهت (100) شبكه بلوري سيليسيم و اثر كاشت ژرمانيوم بر شبكه مزبور در اين مقاله بررسي شده است . آناليز نمونه ها با استفاده از تكنيك RBS-Channeling نشان مي دهد كه اتم هاي ژرمانيوم كاشت شده درمكان شبكه اي اتم هاي سيليسيم قرار نگرفته است . بررسي مكان ناخالصي ها در دو جهت كريستالي (100) و (110) انجام شده است

100 keV Ge ions were implanted on a Si substrate in the (100) direction at a dose of 1×1016 atoms/cm2. The samples were analyzed using the RBS-Channeling method. The results clearly indicate that the implanted Ge atoms do not occupy Si lattice sites.