بررسي تماس اهمي ساختار Ni/Cu بر روي سيليكون چند بلوري نوع n به عنوان تماسهاي جلويي در سلولهاي خورشيدي

Investigation of Ni/Cu on n-Type Poly Silicon for Using Front-Contact in Solar Cell

در اين مقاله، مقاومت تماسي دو ساختار Ni/Cu و Ti/Pd/Ag به سيليكون چند بلوري نوع n اندازه گيري و بررسي شده است . ساختار Ni/Cu به دليل ايجاد ارتفاع سد شاتكي بسيار كوچك ( غير قابل اندازه گيري با روش ) C-V علاوه بر داشتن تماس اهمي بسيار مناسب با مقاومت تماسي بسيار كوچك به عنوان مناسبترين و ارزانترين ساختار به منظور تماس بر روي سيليكون با مقدار معين آلايش انتخاب مي شود . طبق نتايج بدست آمده مقاومت ويژه تماسي ساختار Ni/Cu بعد از گرمادهي در دماي 320 ° C به 4,8*10به توان 6- رسيده است و در مورد ساختار Ti/Pd/Ag بعد از گرمادهي در دماي 480 °C به 8*10 به توان 6- رسيده است .

In this paper, we have investigated the contact resistivity of the Ni/Cu and Ti/Pd/Ag structures. The results of these analyzes and measurements show that for a specific silicon doping value, the Ni/Cu is the most suitable and cost effective structure due to its lower Schottky barrier height (which is not measurable by C-V method), and therefore its better ohmic contact. According to the obtained results, the resistivity reaches to 4.8x10-6 after annealing at 320°C for Ni/Cu structure and 8x10-6 after annealing at 480°C for Ti/Pd/Ag structure.