بررسي خواص ترابردي الكترونها در نيمرساناي InAs در ميدانهاي الكتريكي ضعيف

Low Field Electron Transpot in InAs

در اين مقاله تحرك پذيري الكترونها در نيم رساناي InAs با حل مستقيم معادله ترابري بولتزمن به روش تكرار محاسبه و بستگي تحرك پذيري به دما و اتمهاي يونيده مطالعه و با نيمرساناي GaAs مقايسه شده است . در محاسبه تحرك پذيري پراكندگي از فونونهاي اكوستيكي پتانسيل تغيير شكل ، پيزوالكتريك ، اتمهاي يونيده و فونونهاي اپتيكي قطبي براي يك نوار رسانش غيرسهموي با توابع موج تركيبي در نظر گرفته شده است . محاسبات ما نشان مي دهد كه تحرك پذيري الكترونها در دماهاي بالاتر از 50 K به دليل افزايش آهنگ پراكندگي از فونونها به شدت كاهش مي يابد و در دماهاي پايين اثر غالب در كاهش تحرك پذيري ناشي از پراكندگي از مراكز ناخالصي است . نتايج محاسبات با داده هاي تجربي و محاسبه با تقريب زمان واهلش كه در مقالات منتشر شده مقايسه شده است و توافق خوبي بين نظريه و تجربه را نشان مي دهد

In this paper we report temperature and doping dependence of electron mobility in both InAs and GaAs compounds which have been calculated using an iterative technique. The following scattering mechanisms, i.e, impurity, polar optical phonon, acoustic phonon, piezoelectric are included in the calculation. It is found that the electron mobility decreases monotonically as the temperature increases from 50K to 500K.The low temperature value of electron mobility decreases significantly with increasing the doping concentration. The iterative results are in fair agreement with other recent calculations obtained using the relaxation-time approximation and experimental method.