بررسي تاثير ناخالصي سيليكون در شكل گيري عيوب كريستالي در ماده گاليم نيترايد

Effect of Si Impurities on the Defect Structure in GaN

در اين كار تجربي اثرات ناخالصي سيليكون در شكل گيري عيوب كريستالي در ماده گاليم نيترايد مورد بررسي قرار گرفته است . بررسي هاي انجام شده بر روي دو نمونه گاليم نيترايد با ناخالصي هاي متفاوت از سيليكون نشان مي دهد كه افزايش ناخالصي فوق موجب كاهش عيوب كريستالي و توزيع يكنواخت تر آنها در ماده مي شود . با توجه به اينكه عيوب كريستالي مانند تله هائي براي حاملها عمل مي كنند كاهش عيوب كريستالي در ماده موجب افزايش تحرك پذيري حامل ها در ماده گرديده و در نتيجه گاليم نيترايد خواص الكتريكي بهتري را از خود نشان خواهد داد

In this experimental work the effect of Si impurities on the defect structure in GaN was studied. The results of our work on the two GaN samples with different Si impurities show that Si impurities decreases the dislocation density and changes the dislocation distribution to a more random condition. Since dislocations act as traps for carriers in the sample, Si impurities will increase the carrier mobility by decreasing the dislocation concentration and therefore would improve the electrical properties of GaN.