مطالعه تاثير آلايش هالوژن بر عملكرد ترانزيستور MOS با ابعاد نانومتري

In Study of Halo Implant effect on Nano scale MOS Transistors Performance

تغيير مقياس ترانزيستورهاي MPSFET به منظور بهبود عملكرد ترانزيستور MOS و كاهش هزينه ساخت آن انجام مي شود . با كاهش ابعاد ، آثار كانال كوتاه مانند پيچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترانزيستورهاي كانال طويل به چشم نمي آمدند اهميت مي يابند، كه موجب اختلال در عملكرد ترانزيستور مي شوند . يكي از روشها براي از بين بردن آثار كانال كوتاه ايجاد آلايش هاله كون وتبديل ناخالصي بستر است .. ترانزيستوري با طول كانال موثر 90 نانومتر شبيه سازي شده و با ايجاد آلايش هاله گون و تغيير ناخالصي بستر آثار كانال كوتاه را بهبود مي دهيم .

As a result of scalling the MOSFETs amazing improvements in price/performance ratio is achived. There are many challenges to continued device scaling, such as short channel effects ,DIBL. A method to improve short channel effects is to use Halo implants. We have simulated a transistor in 90nm technology to study the effect of Halo implant on the performance of the MOSFET.