تاثير تهي جايگاه بر ترابرد الكتريكي نانو نوارهاي زيگزاگ سيليسين

Vacancy effect on electronic transport in zigzag silicene nanoribbons

در اين مقاله، ترابرد الكتريكي در نانو نوارهاي سيليسين را با استفاده از رهيافت تابع گرين در تقريب تنگابست در حضور يك و دو جاي خالي مطالعه مي كنيم. رسانش الكتريكي وابسته به مكان جاي خالي است. وجود يك جايگاه خالي در لبه نانو نوار تاثير اندكي بر رسانش الكتريكي حول انرژي فرمي صفر دارد. با حركت به سمت ميانه نانو نوار يك گذار فاز از حالت رسانا به عايق مشاهده ميشود. همچنين در حضور دو جايگاه خالي رسانش كاهش مييابد كه فاصله آن دو جايگاه از هم و موقعيت آنها در نانو نوار بر روي خواص رسانش اثر مي گذارد

In this paper, we study electronic transport properties of silicene zigzag nanoribbones by using Green’s Function method based on Tight Binding approximation in the presence of single vacancy and two vacancies. The electronic transport depends on position of vacancy in nanoribbon. When the vacancy is placed on edge of nanoribbon, the vacancy has slight influence on the electronic transport. As the vacancy moves from one edge to the center, a metal-insulator transition occurs in zigzag nanoribbons. Also, two vacancies have the same result as the one, and the conductance varies with the relative position of the vacancies.