اثر فشار اكسيژن بر مشخصات لايه هاي نازك ابر رساناي YBa2Cu3O7-δ رشد يافته به روش لايه گذاري ليزر پالسي

لايه هاي نازك (YBa2Cu3O7- (YBCO به روش لايه گذاري با ليزر پالسي بر روي زيرلايه هاي تك بلور (LaAlO3(100 با فشار اكسيژن 220-500 ميلي تور لايه نشاني شده اند. وابستگي دمايي پذيرفتاري مغناطيسي متناوب لايه ها به صورت تابعي از ميدان مغناطيسي اندازه گيري شده است. پذيرفتاري مغناطيسي متناوب نشان ميدهد كه با افزايش فشار اكسيژن از 220 تا 400 ميلي تور دماي گذار اوليه لايه ها از 77 تا 86/5 كلوين افزايش مي يابد براي فشار اكسيژن بيش تر از 400 ميلي تور دماي گذار اوليه تغييري نمي كند اما پهناي گذار افزايش مي يابد به ازاي فشار اكسيژن 400 ميلي تور با تغيير ميدان كغناطيسي متناوب از 0/8 تا 800 آمپر بر متر انتقال ماكزيمم قله χ, (TP)5/8 كلوين است با افزايش فشار اكسيژن از 400 تا 500 ميلي تور جابجايي دماي TP از 5/8 تا 9 كلوين افزايش مي يابد پراش اشعه ي X نشان مي دهد كه لايه ها در راستاي محور c رشد كرده اند.

YBa2Cu3O7-δ(YBCO) thin films were prepared by pulsed laser deposition on single crystal LaAlO3(100) substrates in O2 partial pressures from 220 to 500 mTorr. The temperature dependence of AC susceptibility of films were measured as a function of AC field. AC susceptibility indicates ,transition temperature TC (onset) for films increase from 77 to 86.5K as the O2 pressure increases from 220 to 400 mTorr . For O2 pressure more than 400 mTorr, TC is constant, but transition width is increased. The shift of the χ" peak temperature (TP) as HAC is varied from 0.8A/m to 800A/m was 5.8K for O2 pressure 400 mT,. The shift of TP increases from 5.8 to 9K as the O2 pressure increase from 400 to 500 mTorr. X-ray diffraction pattern reveals that the films are preferentially oriented in the c-axis.