بررسي ترابرد الكتروني يك نانو نوار گرافني با نقص ساختاري

Study of Electronic Transport of a Graphene Nanoribbon with Structural defect

در اين مقاله با استفاده از روش تابع گرين و در رهيافت تنگابست، به بررسي رفتار ترابرد الكتروني سه پيكربندي نانو نوار گرافني با نقص ساختاري مختلف كه از طرفين به دو هادي فلزي ساده متصل شده است، در حضور و غياب ميدان مغناطيسي پرداخته ايم. نتايج نشان ميدهد كه هرگاه نقص ساختاري به مركز نانو نوار نزديكتر شود، مقدار رسانش الكتروني در ناحيهي گاف كمتر ميشود. همچنين وجود ميدان مغناطيسي باعث تغيير محسوس مقدار ضريب عبور الكتروني در انرژي هاي مختلف ميگردد.

In this study, by means of Green's function at the tight-binding approach we study the electronic transport behavior of three different configurations of a nanoribbon including structural defect which is embedded between two simple metallic leads in presence and absence of the magnetic field. The results show that when the structural defect is closed to the center of the nanoribbon, the value of conductance decreases at the gap region. Also the existence of magnetic field causes a sensible variation in the value of transmission at different energies.