تاثير ناخالصي بر رسانايي حرارتي نانوسيم هاي سيليكوني

Effect of impurity on the thermal conductivity of silicon nanowires

در اين پژوهش رسانايي حرارتي نانوسيم هاي سيليكوني با استفاده از ديناميك مولكولي غير تعادلي معكوس و پتانسيل بين اتمي ترسوف محاسبه شده است. اتم هاي Si با جرم اتمي u 27 / 9769 به عنوان اتم هاي ميزبان و ساير ايزوتوپ هاي پايدار سيليكون يعني Si29 و 30si و ايزوتوپهاي پايدارC, C12,C13, Ge70, Ge72,Ge73, Ge74, O16,O17,O18 به عنوان اتم هاي ايجاد كننده 6 درصد ناخالصي در نظر گرفته شده اند. نتايج تصريح كردند كه رسانايي حرارتي با اعمال ناخالصي هاي مختلف، تغييرات متنوعي خواهد داشت به گونه ايي كه در مورد C 14 افت قابل توجهي در رسانايي حرارتي مشاهده مي شود.

In this work, the thermal conductivity of silicon nanowires is studied using reverse non equilibrium molecular dynamics simulations and Tersoff interatomic potential. By considering 28Si as host atoms and stable isotopes of silicon, oxygen, germanium and carbon as impurity atoms, we predicted the thermal conductivity of non-ideal silicon nanowires. Results indicated that the thermal conductivity is widely changed so that one can see significant reduction in the case of 14C.