بررسي و محاسبه ي نقش ناخالصي ها در ضرايب عبور و انعكاس در نانوسيم ها

Studying the effects of impurities on the level of Reflection and transmission coefficient in nano wires

اين تحقيق، شبيه سازي نانو ساختارهاي متصل به دو الكترود نيمه بي نهايت براساس مدل تنگ بست، با احتساب پرش به اولين همسايه ي نزديك، مي باشد. بررسي ضرايب عبور و انعكاس اين مجموعه، توسط فرمول لاندائر- بوتيكر و ايده ي تعميم يافته ي آن؛ فرمول بندي فيشر لي، با روش توابع گرين و نظريه ي تابع چگالي انجام مي شود. تاثير پارامترهاي طول زنجيره، مكان ناخالصي و پتانسيل ناخالصي در نانوسيم تك بعدي، بر ضريب عبور بررسي مي شود. همچنين در نانو نوار شبه يك بعدي، با افزايش پهناي نانو نوار، شاهد افزايش ضريب عبور خواهيم بود. با تغيير نحوه ي جفت شدگي بين سيم و الكترودها مشاهده مي شود كه رسانندگي در حالت دوبعدي نسبت به حالت تك بعدي، چندين برابر مي شود.

This research is the simulation of the nanostructures connected to two semi-infinite electrodes, based on the tight binding model, including the hopping to the first nearest neighbor. transmission and Reflection coefficients investigated by: Landauer-buttiker's formula, and their generalized idea; Fisher-Lee formalism and using the green function and density functional theory. In the onedimensional nanowires, the effects of chain length, location of impurities and potential of impurities have been studied on the transmission and reflection coefficient. Furthermore, in the quasi-1D nanoribbons, we observed an increaseing on the transmission coefficient, by increasing the width of the nanoribbons. By changing the method of coupling between the wire and electrodes can be seen that the conductivity of two-dimensional mode to one-dimensional mode, it is multiplied.