شماره ركورد كنفرانس :
3375
عنوان مقاله :
اثر جايگزيدگي نيتروژن بر روي خواص الكتريكي گرافن متخلخل
عنوان به زبان ديگر :
Effect of the Localization by nitrogen on the electrical properties of porous graphene
پديدآورندگان :
نظيفي شيما دانشگاه خواجه نصيرالدين طوسي - دانشكده فيزيك , جعفري محمود دانشگاه خواجه نصيرالدين طوسي - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
خواص الكتريكي , جايگزيدگي نيتروژن , گرافن متخلخل
عنوان كنفرانس :
دوازدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در ر اين مقاله خواص الكتريكي گرافن متخلخل را با استفاده از نرم افزار شبيه ساز كوانتوم اسپرسو و برپايه نظريه تابعي چگالي مورد مطالعه قرار گرفته است. با استفاده از اصول اوليه ، ساختار هندسي گرافن متخلخل طبيعي و جايگزيده شده با نيتروژن را بررسي و سپس به محاسبه خواص الكتريكي پرداخته ايم. گرافن متخلخل داراي خاصيت شبه فلزي ويا نيم رسانايي است. نتايج به دست آمده حاكي از آن است كه با اضافه كردن ناخالصي يك تراز انرژي مربوط به اتم هاي ناخالصي در گاف انرژي نزديك نوار رسانش قرار مي گيرد و نيم رسانا تبديل به نيم رساناي نوع n مي گردد.
چكيده لاتين :
In this paper, we studied the electrical properties of porous Graphene by using Quantum Espresso software and
based on Density functional theory (DFT). Based on first principles, we studied geometrical structure of pristine
and N-doped Porous Graphene. Moreover, we investigated the electrical properties. Porous Graphene has
metallic or semi-conducting properties. The results show that, by adding impurities, an energy level related to
the impurity atoms is placed in energy gap close to the conduction band and the semiconductor becomes n-type
semiconductor.