اثر تابش ليزري قوي بر روي ساختار الكترونيكي چاه كوانتومي كرنشي InGaN/AlGaN

Intense laser field effect on electronic structure in a strained InGaN/AlGaN quantum well

در اين مقاله اثرات تابش ليزري، غلظت اينيديم و غلظت آلومنيوم بر روي ساختار الكترونيكي يك چاه كوانتومي InGaN/AlGaN مطالعه شده است. اثرات ميدان هاي خود به خودي و قطبش پيزوالكتريك بر روي پتانسيل تحديد در نظر گرفته شده است. ترازهاي انرژي و توابع موج با استفاده از روش عددي محاسبه شده اند. نتايج بيانكننده اثر قابل ملاحظه ميدان ليزري و ميدان الكتريكي داخلي بر روي پتانسيل تحديد ميباشند. همچنين نتايج نشان ميدهد كه انرژي هاي گذار با افزايش قدرت ميدان ليزري كاهش مي يابند و با افزايش غلضت هاي In و Al افزايش مي يابند.

In this paper, the effects of the intense laser field, In composition and Al composition on the electronic structure of a strained InGaN/AlGaN quantum well are studied. Impacts of the spontaneous and piezoelectric polarization fields on the confinement potential are taken into account. The energy levels and wave functions are calculated numerically. Results reveal that the confinement potential is considerably affected by the laser field and internal electric field. Results also indicate that the transition energies decrease with increasing the laser field strength and increase with increasing In and Al composition.