مطالعه اثر كرنش بر روي رسانند گي گرمايي سيليسين : رهيافت نظريه تابعي چگالي

The Effect of Strain on Thermal Conductivity of Silicene: A Density Functional Theory Study

با استفاده از محاسبات ابتدا به ساكن و حل معادله خطي شده ترابرد بولتزمن براي فونون ها، رسانندگي گرمايي سيليسين مورد مطالعه قرار گرفته است. رسانندگي گرمايي سيليسين از گرافين و حالت كيه اي سيليسيوم بسيار كمتر است. همچنين با مطالعه اثر كرنش بر روي رسانندگي گرمايي سيليسين، نشان داده شد كه سهم مد TA در رسانندگي گرمايي با اعمال كرنش كاهش مي يابد؛ در حالي كه نقش مد LA افزايش مي يابد. اين تغيير سهم مدها در رسانندگي گرمايي، ناشي از تغيير زمان واهلش فونون ها در مدهاي مختلف مي باشد.

Utilizing ab initio calculations, combined with linearized Boltzmann transport equation, thermal conductivity of silicene monolayer is investigated. In comparison to graphene and bulk silicon, silicene has a low thermal conductivity. With respect to contribution of phonons in thermal conductivity, it is shown that strain leads to an increment in contribution of TA modes, but a decrement on LA ones. Due to strain, its change of contribution of modes occur from changing their lifetimes.