سوييچينگ الكتريكي حافظه اي در نيمه رساناهاي آمورف P2O5-V2O5-Na2O-Cuo

Electrical memory switching of P2O5-V2O5-Na2O-Cuo amorphous semiconductors

مشخصه هاي I-V فيلم هاي دمشي در دماهاي گوناگون مطالعه شده است. نتايج به دست آمده آشكارا بيان مي دارند كه شيشه هاي تحت مطالعه رفتار كنترل شونده با دما و سوييچينگ حافظه اي را بروز مي دهند. مشخص گرديد كه ولتاژ سوييچينگ با افزايش دما، كاهش مي يابد. وابستگي تركيبي ولتاژ سوييچينگ نيز بدين صورت است كه با افزايش غلظت واناديم و كاهش مي يابد. نتايج به دست آمده بر اساس تشكيل كانال هاي رساناي كريستالي توصيف شده اند.

The I-V characteristics of P2O5-V2O5-Na2O-Cuo blowing films were studied at different temperatures. The obtained results clearly indicate that all the studied glasses exhibit current-controlled negative resistance behavior and memory switching. The switching voltages are found to decrease with increase of temperature. The composition dependence of the switching voltage was found to decrease with increase in vanadium content. The results obtained are explained on the basis of formation of crystalline conducting channels.