تاثير انحراف شش گوشه در رسانندگي الكتريكي سطح عايق توپولوژيكي

Effect of hexagonal warping on the surface electrical conductivity of a topological insulator

در اين مقاله اثر انحراف شش گوشه در هاميلتوني سطح عايق توپولوژيكي سهبعدي را بر رسانندگي الكتريكي آن در حضور ناخالصي خنثي برررسي مي كنيم. با استفاده از رهيافت نيمه كلاسيكي بولتزمان و تقريب زمان و اهلش تعميم يافته نشان خواهيم داد اين جمله باعث افزايش رسانندگي سطح ميشود ولي رسانندگي همچنان همسانگرد باقي ميماند. مقايسه نتايج گزارش شده با روش هاي دقيق تر تاييدي بر دقت اين روش است.

We investigate the effect of hexagonal warping on the surface conductivity of a three dimensional topological insulator, doped with impurities using the semi-classical Boltzmann approach. We will show that the conductivity would increase by considering hexagonal warping term in the Hamiltonian of surface electrons. Making comparison between our results with other more accurate results proves the reliability and accuracy of our method.