بررسي توليد امواج تراهرتز در ديودهاي Gunn مواد نيتريدي

Investigation of THz waves Generation in Gunn diodes of nitride materials

امواج تراهرتز ناحيه اي از طيف الكترومغناطيسي در بازه فركانسي ( 100GHz - 10THz ) مي باشد كه كاربردهاي وسيعي در صنعت پزشكي، بيولوژي، عكسبرداري مخابرات ايمن و باند پهن و ... دارد. ديودهاي Gurur نيز ادواني هستند كه از نيمه هاديهايي مانند GaAs و GaN كه در ميدانهاي الكتريكي قوي از خود خاصيت NDR نشان مي دهند تشكيل شده است. وقتي ديود Gunn در ناحيه NDR باياس مي شود طبق ائر Gunn نوسانات الكتريكي توليد مي كند. در اين مقاله ابتدا ديود Gunn با ساختار GaAs را براي توليد نوسانات الكتريكي بررسي كرده و سپس نشان خواهيم داد كه استفاده از مواد نيتريدي مانند GaN قابليت توليد فركانسهايي بالا در گستره تراهرتز را ممكن مي سازد. همچنين اثرات دماي محيط را در كاهش كارايي توليد فركانسهاي بالا در هر دو مورد بررسي خواهيم كرد.

The THz waves were the range of electromagnetic spectrum at 100GHz to 10THz. This range of electromagnetic waves has extensive applications in medicine industry, biology, high resolution imaging and safe and wide band communications. Also Gunn diodes which fabricated with semiconductor materials such as GaAs and GaN, exhibit NDR effect under the intense electric fields. In this study, we investigate first Gunn diode fabricated with GaAs to generate electric oscillations. So show the Gunn diode that fabricated with GaN material has capability of generation of higher frequency in the range of THz Waves.