تاثير نسبت TEOS به اكسيژن در خصوصيات لايه اكسيد سيليسيم توليد شده به روش رسوب گذاري بخار شيميايي پلاسمايي

Effect of TEOS/O2 on the properties of silicon oxide thin film produced by plasma Enhanced chemical vapor deposition

در اين تحقيق لايه نازك اكسيد سيليسيم بر روي زيرلايه هاي شيشه و سيليكون در دماي پايين رسوب گذاري شده است. روش به كار برده شده جهت لايه شانسي روش رسوب گذاري بخار شيميايي در محيط پلاسمايي است. در تركيب گاز پلاسما، از تركيب آلي فلزي TEOS در حالت مايع به عنوان منبع سيليكون و گاز اكسيژن به عنوان اكسيد كننده استفاده شده است. اثر نسبت فشار جزئي بخار TEOS به گاز اكسيژن ( 0/05 تا 1/5) بر روي ساختار، تركيب شيميايي و ضريب شكست لايه از طريق تست هاي پراش پرتو X، اسپكتروسكوپي تبديل فوريه مادون قرمز ، ميكروسكوپ نيروي اتمي و تكنيك بروستر مورد مطالعه قرار گرفته است. همچنين مكانيزم هاي فرايند رسوب گذاري و ارتباط آنها با نسبت فشار جزئي بخار TEOS به گاز اكسيژن و اثري كه بر خواص لايه دارند، مورد مطالعه قرار گرفته است. براي اين منظور از طيف سنجي گسيلي نوري پلاسما بهره گرفته شده است.

In this study, silicon oxide thin film has been deposited on the silicon and glass substrate by the method of plasma enhanced chemical vapor deposition. In the plasma gas mixture, the organometallic tetraethoxy-silane (TEOS) was used as silicon precursor in liquid state and oxygen was used as oxidant gas. The effects of the TEOS/O2 pressure ratio (0.05–1.5) on the film structure and chemical composition, refractive index have been studied by the X-ray diffraction method, fourier transform infrared spectroscopy and Brewster technique. In addition, mechanisms of deposition phenomenon and their relation to the TEOS/O2 pressure ratio and the film properties have been studied. For this reason optical emission spectroscopy has been used.