بررسي اثر تزريق ناخالصي مغناطيسي بر چگالي حالات الكتروني نانو لوله هاي كربني تك ديواره زيگزاگ

Investigation effects of magnetic impurity doping on the density of states of semiconducting carbon nanotubes

در اين تحقيق استفاده از نانو لوله هاي كربني تك ديواره زيگزاگ به عنوان ترانزيستورهاي فرومغناطيسي پيشنهاد ميشود، براي اين كار با استفاده از ناخالصي هاي مغناطيسي عناصري مثل آهن، كبالت و نيكل كه با جايگزين كردن آنها به جاي اتم كربن در نانو لوله هاي كربني تك ديواره زيگزاگ مي توان به دنبال ساختن نيمه رساناهايي بود كه گاف آنها با استفاده از درصد ناخالصي كنتر ل كرد كه اين كار باعث ايجاد يك نوع نيم هرساناي مغناطيسي مي شود كه به نيمه رساناي فرومغناطيس معروف هستند.

Our motivation is to challenge a magnetic semiconductor SWCNT. Although SWCNT doping by metallic transition particle such as Mn, Fe, Co and Ni has been investigated. we found that by doping magnetic impurity the semiconductor gap, Eg , of a zigzag SWCNT could be controlled. So we could make a ferromagnetic semiconductor.