بررسي تاثير جابجايي محل دروازه ( گيت ) برروي خواص ترابردي ترانزيستورهاي HEMT نيتريدي

Investigation of gate displacement on transport properties of Nitride HEMT (High Electron Mobility Transistor)

اخيرا، ترانزيستورهاي پايه ريزي شده از مواد GaN همچون ترانزيستورهاي انر - ميدان ساختارهاي نامتجانس (HFET) ساخته و گزارش شده اند. برخلاف اين همه كار تجربي، همچنان خلا هايي در مدل سازي و شبيه سازي ادوات پايه ريزي شده از مواد GaN به خصوص ترانزيستورها ديده مي شود. در اين مقاله يك مدل كاملا تئوري براي خواص ترابر دي الكترونها در داخل تراتريستورهاي اثر - ميدان ساختار نامتجانس A1GaN / GaN ارائه ميدهيم كه در آن ضمن بررسي خواصي همچون، جريان درين چشمه (Drain - Source )، و پارمترهاي سيگنال كوچك اثر جابجائي محل گيت بر روي خواص ترابردي اين نوع ترانزيستورها مطالعه شده است.

Recently, the transistors based on GaN materials such as heterostructure field effect transistors (HFET) have been made and reported. Despite of all these experimental works, still there are a lot of undone works in modeling and simulating. In this paper, we introduce a completely theoretical model for the electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors such as drain-source current and small signal parameters as well the effects of gate displacement on these properties.