سوئيچ زني ساليتونهاي كاواك در ميكرو مشددهاي نيمه هادي بالاي آستانه ي ليزري

Switching of Cavity Solitons in Semiconductor Microresonators above Lasing threshold

در اين پروژه سوئيچ زني ساليتونهاي كاواك در ميكرومشددهاي نيمه هادي و مكانيسم آن بررسي شده است. فرآيند سوئيچ زني اين ساليتونها معمولا به چند روش انجام مي گيرد كه از آن ميان مي توان به سوئيچ زني همدوس و ناهمدوس اشاره كرد. منظور از سوئيچ زني همدوس، سوئيچ زني بوسيله يك پرتو گاوسي با فاز موافق با پرتوي نگهدارنده است كه مكانيسم خاص خود را دارد. اما آنچه كه در اين مقاله بررسي شده سوئيچ زني به روش ناهمدوس، يعني بوسيله ي تزريق موضعي حاملين، مي باشد

In this paper, switching of cavity solitons and its mechanism is investigated in semiconductor microresonators. We have several methods to do this, e.g. coherent and incoherent switching. But what is of great interest here is Incoherent switching of cavity solitons. By switching we mean, generally, switching On and Off of these bright spots on homogeneous dark background. We have made use of local carrier injection as the so-called Incoherent switching, and this is done through simulations as the result of local creation of population inversion which locally enhances the rate of light emission.