شماره ركورد كنفرانس :
3310
عنوان مقاله :
بررسي تاثيرات تغييرات دما بر روي آهنگ بازتركيب هاي تا بشي ، غير تابشي ، چگالي ، جريان الكترون ها و حفره ها در ناحيه فعال ليزر كاواك قائم گسيل سطحي AlGaInAs/ InP با استفاد ه از شبيه ساز سه بعدي PICS3D
عنوان به زبان ديگر :
Investigation of the effects of temperature variations on radiative, non_raditive recombination rates, electrons and holes current densities in active region InGaAlAs/InP vertical cavity surface emitting laser by using of three dimensions simulator PICS3D
پديدآورندگان :
دانش كفترودي زهرا دانشگاه گيلان - گروه فيزيك , رجايي اسفنديار دانشگاه گيلان - گروه فيزيك
كليدواژه :
تغييرات دما , جريان الكترونها , ليزر كاواك , شبيه ساز سه بعدي
سال انتشار :
شهريور 1389
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۹
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله تاثيرات تغييرات دما بر روي آهنگ بازتركيب هاي تابشي ،غير تابشي ، چگالي جريان الكتونها و حفره ها در ناحيه فعال ليزر كاواك قائم گسيل سطحي AlGaInAs/ InP مورد بررسي قرار گرفته است. اين مطالعه با استفاده از شبيه ساز سه بعدي PICS3D صورت گرفته است. اين نرم افزار به صورت خودسازگار شبيه سازي الكتريكي، اپتيكي و حرارتي را در سه بعد با يكديگر تركيب مي كند. در شبيه سازي آهنگ بازتركيب هاي تابشي و غير تابشي در چاههاي كوانتومي ناحيه فعال، در دو دماي 20 و 60 درجه سانتيگراد زمينه و جريان تزريقي 6 ميلي آمپر به دست آمده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهند كه با افزايش دما آهنگ بازتركيب القايي كاهش و آهنگ بازتركيب اوژه افزايش مي يابد. بازتركيب خودبخودي و بازتركيب ناشي از ناخالصي هاي عميق با افزايش دما زياد تغيير نمي كنند. همچنين چگالي جريان طولي و قائم الكترونها و چگالي جريان طولي حفره ها در دو دماي 60 و 20 درجه سانتيگراد و جريان 6 ميلي آمپر به دست آمده است
چكيده لاتين :
In this paper, the effects of temperature variations on radiative , non_radiative recombination rates,electrons and hole current densities in active region of InGaAlAs/InP vertical cavity surface emitting laser are studied. This study is performed by using of three dimensions simulator PICS3D. This simulator combines electrical, optical and thermal simulation in three dimensions. In this simulation radiative and non-radiative recombination rates at 20 ºC and 60 ºC stage temperature and 6 mA injected current are obtained. Simulation results show that with rising temperature stimulated recombination rate decreases and Auger recombination rate increases. With rising temperature spontaneous recombination rate and deep trap rate don’t change extremely. Longitude and vertical current densities of electrons and hole at 20 ºC and 60 ºC stage temperature and 6 mA injected current also are obtained.
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت