شبيه سازي اثر افزايش چگالي جريان تزريقي بر چگالي حامل هاي آزاد در ناحيه OCL و اتلاف دروني با تغييرات ضريب سطح مقطع جذب در ليزر نقطه كوانتومي GaInAsP/InP

Simulation of effect of increase of injection current on free carriers density in the OCL and internal loss by variations of absorption cross section coefficient in GaInAsP/InP quantum dot laser

در اين اين مقاله با حل معادلات آهنگ به حالت پايا و همچنين با در نظر گرفتن اتلاف دروني وابسته به چگالي حامل هاي آزاد در ناحيه OCL تغييرات اتلاف دروني و چگالي حامل هاي آزاد را برحسب افزايش چگالي جريان تزريقي بررسي مي كنيم و اين بررسي را براي ضريب هاي سطح مقطع جذب متفاوت انجام مي دهيم همچنين در انتها مطالعه هم زمان اثر افزايش چگالي جريان تزريقي را بر توان خروجي، اتلاف دروني و چگالي حامل هاي آزاد ناحيه OCL را براي ضريب سطح مقطع جذب ثابت انجام مي دهيم.

In this paper, we investigate variations of internal loss and free carriers density in the OCL versus increase of injection current by solution of the steady-state rate equations. and we consider internal loss depend on free carriers density in the OCL. we do this investigation for different absorption cross section coefficient. at last, we also study effect of increase of injection current on output power, internal loss and free carriers density in the OCL for fixed absorption cross section coefficient at the same time.