مطالعه تغييرات زمان گيراندازي بر حسب چگالي سطحي نقاط كوانتومي و اثر آن بر توان خروجي ماكزيمم ليزر نقطه كوانتومي GaInAsP/InP

Study of capture time's variations versus surface density of quantum dot and effect of its on maximum output power GaInAsP/InP quantum dot laser

در اين مقاله با حل معادلات آهنگ بصورت استاتيكي ، روابط مربوط به چگالي حامل هاي آزاد در ناحيه OCL و حامل هاي محدود در نقاط كوانتومي و تعداد فوتون هاي توليدي را محاسبه كرده و با افزايش چگالي سطحي نقاط كوانتومي اثر آن را بر زمان گيراندازي حامل ها به درون نقاط كوانتومي و توان خروجي ماكزيمم شبيه سازي مي كنيم و همچنين تغييرات چگالي حامل هاي آزاد ناحيه OCL و توان خروجي را بر حسب نسبت زمان گيراندازي حامل ها به درون نقاط كوانتومي به زمان بازتركيب خود به خودي حامل هاي آزاد مطالعه مي كنيم.

In this paper, we calculate the equations that related to the free carriers density in the OCL and carriers confined in quantum dot and number of photons by solution of the steady-state rate equations and simulate effect of surface density of quantum dot on capture time of carriers into quantum dots and maximum output power by increase of surface density of quantum dot and also study variations of free carriers density in the OCL and output power versus ratio of capture time of carriers into quantum dots and spontaneous recombination time of free carriers.