نقش نيتروژن در كاهش گاف نواري نانو ساختار InGaNAs

بررسي نقش نيتروژن در آلياژهاي InGaNAs نشان مي دهد كه با حضور نيتروژن تراز جايگزيده اي در نوار رسانش اين نيمه رسانا ايجاد مي شود كه با آن وارد برهمكنش شده و در اثر دافعه نواري بين آنها ، گاف انرژي كاهش مي يابد . بررسي نيتروژن به عنوان يك عامل اختلال در سيستم ، با استفاده از محاسباتي بر پايه هاميلتوني k.p ، حضور دو زير تراز انرژي شامل و E در نوار رسانش را نشان مي دهد كه با افزايش غلظت نيتروژن اين زير تراز ها از يكديگر دور مي شوند . همچنين در اين گزارش اثرات فوق به طور تجربي واز طريق مطالعات طيف نمايي فتولومينسانس مورد بررسي قرار گرفته است و به نقش جايگزيدگي در اثر حضور نيتروژن نيز اشاره شده است كه عدم تقارن طيفهاي فتولومينسانس مخصوصا در دماهاي پايين نشانه آشكاري از اين اثر مي باشد . علاوه بر اين ، اثر دما نيز در كاهش گاف نواري مورد بررسي قرار گرفته است