اثر ساختار ريز بر طيف گسيل خودبخودي وجذب - پاشندگي اتم چهار ترازي در بلور فوتونيك

در اين مقاله اثر ساختار ريز تراز پايه، بر طيف گسيل خودبخودي و جذب – پاشندگي اتم چهار ترازي واقع در بلور فوتونيك مطالعه مي شود. در مدل بكار رفته فرض بر اين است كه گذار از تراز بالايي اتم به يكي از ترازهاي پاييني كه حاوي ساختار ريز است در نزديكي لبه گاف باند فوتونيكي صورت مي گيرد و گذار از تراز بالايي به تراز پاييني ديگر كه طيف گسيل خودبخودي و همچنين جذب و پاشندگي در آن مد نظر است در فضاي آزاد رخ مي دهد. نشان داده مي شود كه با تنظيم فاصله ترازهاي ساختار ريز، مي توان طيف گسيل خودبخودي ، و همچنين طيف جذب و پاشندگي باريكه كاوشگر را كنترل كرد.