محاسبه بهره ليزرهاي چاه كوانتومي تنشي شده GaAs−AlxGa1−x As تحت تنش فشاري

بهره قطبشهاي TMو TE در ساختار ليزر چاه كوانتومي تنشيAl x Ga − x As - GaAs با در نظرگرفتن جفت شدگي نوار ظرفيت محاسبه شده اند . نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه در اثر تنش فشاري زير نوار حفره هاي سبك، LH1 ، به سمت بالا و زير نوار حفره هاي سنگين، HH1 ، به سمت پايين جابجا مي شوند . از مقايسه طيفهاي بدست آمده با طيفهاي ساختار غير تنشي نتيجه مي شود كه بهره قطبش TE كاهش ولي در قطبش TM افزايش مي يابد . در محاسبات انجام گرفته زير نواهاي hh1 و 1 لحاظ شده اند