انتهاي جاده سيليكون اكسيد فوق نازك (<2nm) به عنوان دي الكتريك گيت در CMOS ؟

تراشه هاي كامپيوتر و ابعاد قطعات الكترونيكي كوچكتر و كوچكتر مي شوند . گيت اكسيد فوق نازك در قطعات CMOS براي تحول سيليكون نياز مي باشد، CMOS نانومتر يا نازك تر كه در توليدات آتي 1 ( برابر SiO2 – ميكرو و نانو الكترونيك بسيار با اهميت است . ضخامت موثر ( معادل بقدري نازك است تا بتواند مانع جريات تونل زني , نشتي و نفوذ بورن ازالكترود پلي سيليكون در اكسيد سيليكون شود . با وجود اين سيليكون هنوز يك مولفه حياتي در صنعت است . مقاله حاضر يك كوششي در رشد اكسيد فوق نازك را شرح مي دهد و نشان مي دهد كه رشد بصورت خود - اشباعي است كه پيشتر مشاهده نشده بود . تحقيقات حاضر بر خواص ساختاري سيستمها متمركز شده است و با الكترون اسپكتروسكوپي، عمدتاً فوتوگسيلي، تابش سينكرترون در UHV مورد مطالعه قرار گرفته است .