شبيه سازي مونت كارلو از خواص ترابرد الكتريكي GaN تحت تاثير ميدان الكتريكي شديد

در اين مقاله خواص ترابرد الكترون در ساختار وورتسايت GaN در محدوده دمايي 300-600 K با استفاده از شبيه سازي مونت كارلو مطالعه شده است . در اين پژوهش ميدان الكتريكي در دو GaN ( بصورت غير سهموي و بيضوي فرض شده اند . در محاسبة ترابرد الكترون در ساختار وورتسايت Γ, U,K ( سه درة مهم نوار هدايت و عمود بر آن بررسي شده است . تحقيقات انجام شده نشان مي دهد كه با افزايش دما به دليل افزايش آهنگ پراكندگي، ماكزيمم سرعت سوق در C جهت موازي محور . بررسي شده است GaN ميدانهاي بالاتر، كاهش مي يابد . همچنين در اين مقاله بستگي تحرك پذيري الكترونها به دما و چگالي اتمهاي ناخالصي در ساختار وورتسايت تحقيقات انجام شده نشان مي دهد كه تحرك پذيري الكترونها در دماهاي بالاتر به دليل افزايش آهنگ پراكندگي به شدت كاهش يافته و در دماهاي پايين كاهش تحرك پذيري ناشي از اثر غالب تحرك پذيري از مراكز ناخالصي است . نتايج محاسبات با اندازه گيريهاي انجام گرفته و ديگر دادهاي منتشر شده در ساير مقالات مقايسه شده است و در توافق خوبي با آنها است