زدايش عمودي قرص سيليكان (111) به كمك نور ليزر

Laser assisted vertical etching of (111) Silicon Wafers

در اين مقاله يك روش جديد براي زدايش عمودي قرص سيليكان (111) گزارش شده است . در حاليكه زدايش با استفاده از فاز بخار مخلوطي از محلول اسيدهاي فلوئور سيليسيك (H2 SiF6) و نيتريك انجام مي شود نور ليزر، زدايش را در جهت تابش در اثر القا تقويت مي كند . زدايش ًآهنگ شديدا به طول موج نور ليزر و درصد تركيبات محلول بستگي دارد و حداكثر تا آهنگ 30μm hr قابل دسترسي است . با استفاده از ميكروسكوب الكتروني و عكسبرداري اپتيكي به كمك ميكروسكوپ ، خالي شدن زير ماسك مورد بررسي قرار گرفته و نتايج آن گزارش شده است

A new method for vertical etching of (111) silicon wafers is reported. While the etching is performed using a vapor phase of a mixture of fluoro-silicic and nitric acids, laser illumination is exploited to enhance the etching in the direction of laser radiation yielding vertical removal of exposed silicon atoms. Etch rate is strongly dependent on the wavelength of the laser beam and the proportion of each component of the enchants in the mixture of the vapor, hence a maximum value of 30μm hr is achieved. SEM has been used to study the mask undercut and micrograph of the samples are presented.