بررسي تغييرات شدت تحريك بر گسيل نوري نانو ساختارهاي InGaNAs با استفاده از تكنيك فتولومينسانس

Investigation of excitation intensity on the optical emission of InGaNAs nano-structures by photoluminescence (PL) spectroscopy

حضور نيتروژن در InGaAs علاوه بر تغييرات زيادي كه در ساختار نواري آن به وجود مي آورد، با ايجاد افت و خيزهاي پتانسيل و ناهمواريهايي در ساختار، باعث تشكيل مراكز تله و جايگزيدگي مي گردد . جايگزيدگي نيز از يك طرف با كاهش زمان بازتركيب اكسيتونها مفيد باعث افزايش بازده اپتيكي و از طرف ديگر به علت ايجاد بازتركيب هاي غير تابشي باعث كاهش بازده اپتيكي قطعه مي گردد . يكي از عوامل كاهش جايگزيدگي، افزايش شدت نور تحريكي نمونه نيمه رساناست كه با افزايش آن و پر شدن مراكز جايگزيدگي، قله طيف فتولومينسانس نيز به انرژي هاي بالاتر انتقال مي يابد . در نمونه هاي با نيتروژن بيشتر انتقال بيشتر است و دستيابي به حالت اشباع حاصل نمي گردد . افزايش دما نيز با كاهش افت و خيزها و تنشهاي سطحي، اثرات جايگزيدگي را كاهش مي دهد، لذا تغيير شدت تحريك، اثري در تغيير قله هاي طيفهاي فتولومينسانس ندارد .

Effect of variation of the excitation power on optical emission of the InGaNAs nanostructures has been investigated by means of photoluminescence spectroscopy. In fact existence of N in InGaAs give rises to the large changes in its band structure, for example N makes spatially localized fluctuations in the potential energy and capture centers. The energy emission is blue shifted by increasing excitation power due to the filling effect of the localized states but the PL spectra is not affected by increasing power of excitation at higher temperatures because of decreasing the fluctuation and localization states due to the filling effect.