اثر بي نظمي روي چگالي حالتهاي جايگزيده در سيمهاي كوانتومي

Disorder effect on local density of states in quantum wires

در اين مقاله با استفاده از تقريب پتانسيل همدوس (CPA) و روش بستگي قوي تك نواري اثر ناخالصي را روي چگالي حالتهاي الكتروني جايگزيده (LDOS) در يك سيم كوانتومي مطالعه مي كنيم. نتايج محاسبات عددي نشان مي دهد كه LDOS وابستگي قوي با غلظت ناخالصي دارد با افزايش ناخالصي تيزي قله ها و همچنين پهناي نوار كاهش مي يابد. اين نتايج مي تواند در ساخت دستگاه هاي نانوالكترونيك مفيد باشد.

Using the coherent potential approximation (CPA) and single band tight-binding method, we study the effects of impurity on local density of states (LDOS) in a quantum wire. Numerical results show that the LDOS strongly depends on impurity concentration. With increasing the concentration, the sharpness in peaks of LDOS and also it's width decrease. The results can be useful in nano-electronic devices.