ايجاد تخلخل هاي ميكروني منظم به روش الكتروشيميايي بر روي پايه هاي سيليكون نوع p

Macroporous silicon formation by electrochemical etching on p- type substrates

تخلخل هايي از ابعادميكروني به روش الكتروشميايي و با استفاده از محلول پايه ي شامل DMF (دي متيل فرماميد) و اسيد HF بر روي پايه هاي سيليكون نوع P ايجاد گرديد. با استفاده از ميكروسكوپ الكتروني روبشي تاثير پارامترهاي مهم مانند زمان خوردگي، چگالي جريان ، غلظت اسيد و نوع الكتروليت بر ساختارتخلخل حاصل بررسي شد. افزايش زمان خوردگي باعث نازك تر شدن ديواره هاي سيليكوني و افزايش ضخامت لايه متخلخل مي شود. در حالي كه افزايش چگالي جريان الكتريكي موجب شكل گيري بهتر سوراخ ها و منظم تر شدن آنها ميشود. با افزايش غلظت اسيد برخي ديواره هاي سيليكوني ريزش كرده و سوراخ ها بزرگ مي شوند . همچنين در اين مطالعه مشخص شد كمه محلول DMF نقش بسيار مهمي درتشكيل حفره هاي ميكروني دارد.

Macro porous Si was formed by electrochemical etching of p- type silicon in organic electrolytes consist of DMF (dimethylformamide) and HF acid. The influence of effective parameters such as time of etching, density of electrical current, HF concentration and the kind of electrolyte in electrochemical etching of silicon on pore formation has been investigated by scanning electron microscopy. Increasing the time of etching increases the pores wide and thickness of porous layer. Higher density of electrical current forms regular pores and higher HF concentration in the electrolyte causes collapse some remaining silicon walls .Moreover, it was revealed that the DMF has an essential role in producing Macropores