انتقال از GMR به AMR با تغيير دما در فيلم هاي بس لايه اي الكتروانباشت شده NixCu1-x /NiyCu1-y

Temperature-dependent switching between GMR and AMR in pulse-plated NixCu1-x/NiyCu1-y alloy/alloy multilayers

ماقبلا ساخت بس لايه هاي آلياژي NixCu1-x با درصد دلخواه با روش الكتروانباشت بوسيله نشاندن متوالي كسري از تك لايه اتمي Niو Cu را گزارش داده ايم . در اين تحقيق اين روش گسترش مي يابد و بس لايه هاي آلياژي NixCu1-x/NiyCu1-y با استفاده از الكتروانباشت پالسي فوق سريع ساخته مي شوند . ريز ساختاراين فيلم ها به روش پراش اشعه X مورد مطالعه قرار مي گيرد . انتقال از مغناطو مقاومت بزرگ به مغناطو مقاومت ناهمسانگرد با تغييرات دما در اين گونه ساختارها بررسي خواهد شد .

We have already reported that a NixCu1-x alloy films of arbitrary composition may be grown by electrodepositing well-defined sub-monolayer quantities of Cu and Ni in alternation. In the present work this method is developed to fabrication of NixCu1-x/NiyCu1-y alloy/alloy multilayers. Microstructure of the multilayers was studied using XRD. The temperature-dependent switching between GMR and AMR in such materials is studied.