بررسي مدهاي پلاريتون سطحي چاه كوانتمي InxGa1−x N /GaN با استفاده از طيف سنجي ATR در ناحيه فروسرخ دور

Far-Infrared investigation of the surface polariton modes in Inx Ga 1-xN/GaN multi quantum wells using ATR spectroscopy

طيف انعكاسي ( ATR ( Attenuated Total Reflectivity چاه كوانتومي In0.6 Ga0.4 N /GaN كه در آن اجزاء سازنده داراي ساختار مكعبي مي باشند، در ناحيه فروسرخ دور با استفاده از تقريب محيط مؤثر، و پاسخ آن به نور پلاريزه مايل بررسي شده است . مدهاي پلاريتون سطحي اين چاه كوانتمي را به روش تئوري مشخص كرده ايم . اثر آلائيدگي چاه كوانتمي به وسيلة پلاسمون و تغيير درصد مولي تركيبات روي محل اين مدهاي پلاريتون سطحي بررسي شده است . مشاهده شده كه محل اين مدهاي سطحي در اثر اين عوامل جابجا مي شود . جابجايي اين مدهاي پلاريتون سطحي ابزار مناسبي براي تعيين مقدار بار آزاد و مقدار In و Ga در چاه كوانتمي خواهد بود

Surface polariton modes of Inx Ga 1-xN/GaN multi quantum wells on GaAs substrate have been investigated in the region of Far-infrared by ATR (attenuated Total reflectivity) spectroscopy .The spectra of the samples have been studied by oblique incidence in p- and s- polarization light using effective medium approximation. The surface polariton modes and their shifting due to the plasma frequencies as well as the mole fraction of compounds in the alloy are noticeable. The changes in the position of the modes are a good tool for measurement of the free carriers and the amount of mole fractions in the samples