آهنگ واهلش انرژي در ساختار چندلايه اي GaAs/AlxGa1-xAs

Energy relaxation rate in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure

در اين كار به بررسي وابستگي آهنگ واهلش انرژي گاز الكتروني دوبعدي ناشي از انتشار فونون اكوستيكي به عرض چاه كوانتومي و همچنين وابستگي آهنگ واهلش انرژي گاز الكتروني سه بعدي به چگالي حاملها در ساختار GaAs/AlxGa1-xAs پرداختيم و نشان دادهايم كه توان اتلافي، مستقل از بعد بوده و مقدار به دست آمده براي ثابت پتانسيل تغيير شكل يافته در حالت دوبعدي بين 2/1 تا 11 الكترون ولت و در حالت سه بعدي بين 4/5 تا 8/5 الكترون ولت تغيير ميكند

In this work the well-width dependence of energy relaxation of two dimensional electron gas (2DEG) associated with acoustic-phonon emission and the carrier density dependence of energy relaxation of three dimensional electron gas (3DEG) in GaAs/AlxGa1-xAs have been investigated. We have shown that the energy loss rate is independent of dimensionality and the extracted deformation potential constant is in the range of 2.1-11 eV and 4.5-8.5 eV for 2DEG and 3DEG respectively.